的红外发射二极管可用.DG

欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)将薄膜技术用于红外元件，开发出第一代850nm红外发射二极管(IRED)，在正常芯片尺寸下，该器件的总功率达到50mW，正向电流达到100mA。

孩子们想在一个秘密地点穿越铁路轨道。就在穿越铁路的时候薄膜芯片可通过芯片顶部发射由器件内部产生的所有光线，其发光层很薄，且接近表层，因而几乎没有光线能从侧面逃逸。这意味着其辐射输出强度与芯片的尺寸成正比。在Electronica展会上，Osram将展示1A下的dc输出超过400mW的薄膜红外发射二极管原型，其面积扩大了9倍。该芯片产生的光线径向分量可通过透镜聚焦，产生极强的径向光，甚至对于小尺寸芯片，在小角度(约 °)条件下，其光强也能达到700mW/sr。

欧司朗新型IRED的波长为850nm，比发射光线波长为880nm的常规IRED更接近可见光(400到780nm)，因而适用于现代CMOS和CCD相机产品以及汽车夜视系统。这种不可见光(invisible light)也可用于安全及其相关监视应用。

这些IRED产品采用以SMT为主的多种封装形式，可用于车内不可见光照明、空气气囊的位置控制、停车场视频辅助监控和交通流量及速度测量等领域。