完全自主知识产权芯片研发成功.鼓励

由中国科学院半导体所研发的我国首款完全自主知识产权WLAN芯片于日前正式与世人见面。符合IEEE 802.11a标准的5GHz频段的无线宽带“WLAN”芯片的研发成功，标志着我国高端芯片研发自主创新能力和射频、数模混合类高端芯片在国际范围内的核心竞争力的提升，意味着国外无线宽带芯片垄断的结束。

中国科学院半导体研究所围绕国家战略需求，以新时期办院方针为指导，以知识创新工程为契机，面向世界科学前沿和国家重大需求，2004年5月，“融入MIMO技术的单片、多模无线局域络芯片――“WLAN”项目被列入半导体所知识创新项目。2005年5月，科研人员首先在国家重大需求的直接高速数字频率合成芯片(DDS)取得重大突破，研发的拥有自主知识产权的DDS芯片合成时钟频率达2GHz，超过了国际同类速度最快的产品近一倍。研发文章首次在国际顶级会议上报告并被大会推荐在顶级杂志上发表，引起了国内外的极大关注。2006年8月，半导体所在高端射频芯片取得重大突破，我国首款完全自主知识产权WLAN芯片研发成功，并多次流片成功，使我国“WLAN”在国际前沿芯片关键技术上取得主动权。符合IEEE 802.11a标准的5GHz频段的无线宽带“WLAN”芯片的研发成功，标志着我国高端芯片研发自主创新能力和射频、数模混合类高端芯片在国际范围内的核心竞争力的提升，意味着国外无线宽带芯片垄断的结束。

无缘世界组附加赛。2006年8月，由中国科学院半导体研究所、苏州市科技局和苏州工业园区科技局三方共建，在苏州工业园区成立了“苏州中科半导体集成技术研发中心”。“中心”依托半导体所具有自主知识产权的WLAN等多项高端技术，开发半导体领域前沿高科技产品，不断研发设计难度较大、在新技术中起到“核心”的无线射频、高速数模混合类高端芯片。研发中心将以5GHz频段的WLAN芯片为新起点，将研发功能更多、传输速率更快的新一代射频芯片。将“中心”建设成中国的 “Broadcom”，成为“Fabless”方式下的，在国内外具有影响的高端半导体集成芯片的研发和产业化基地 。